三星Samsung近期极力发展半导体制造技术，但时至今日，在先进制程上仍难与台积电制造抗衡。话虽如此，Samsung 执行长庆桂显喊话，宣称将可无视目前落后的制造技术，在 5 年内超越台积电，成为领先全球的半导体制造公司，而其中的关键就在于 2 纳米制程。
韩国经济日报援引庆桂显昨日于韩国科学技术院 KAIST 的演讲，说明虽然 Samsung 现在的半导体制造技术仍落后于台积电 1 至 2 年的时间，但若台积电加入 2 纳米制程的技术竞赛，Samsung 反倒能后来居上。
这是因为不同于台积电采用的鳍式场效电晶体 FinFET 架构 ，Samsung 目前已为 3 纳米制程导入了闸极全环电晶体 GAAFET 架构。而在 2 纳米制程上，有报道指出台积电也计划采用 GAAFET，换言之，Samsung 已比台积电更早将 GAA 技术实用化。
然而这是否代表 Samsung 能够在 2 纳米制程拿下市场仍有待观察，因为目前 Samsung 以 GAAFET 制造的 3 纳米芯片良率不佳，再者，双方预计大量生产 2 纳米芯片的时间点皆落在 2025 年，Samsung 即便更早将 GAAFET 投入生产，能否克服技术障碍却不得而知。
