三星7月份抢先量产3纳米制程芯片，却传出良率不超过20%，根据韩媒《Naver》报道，三星已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作，希望借此提高芯片在生产过程中的良率，能实现对劲敌台积电的超越。
报道指出，三星过往4纳米和5纳米 制程都存在良率相关的问题，包括三星代工厂制造的高通旗舰处理器Snapdragon 888、Snapdragon 8 Gen1都过热，三星因此痛失大客户，像是高通新款 Snapdragon 8 Gen 2全数独家由台积电拿下，辉达RTX 4000系列GPU也以台积电5 纳米制程技术量产。
三星不希望3纳米 制程又出现上述这种情况，因此正扩大与Silicon Frontline Technology的合作关系。报道提到，Silicon Frontline Technology 提供芯片资格评估和静电放电 (ESD) 预防技术，ESD是导致半导体芯片缺陷的一大原因，防止或减少ESD将有助于提高芯片良率。
报道称，三星将Silicon Frontline Technology技术应用于芯片设计和生产过程中，已取得令人满意的结果。三星如果设法提高先进制程的良率，结合其3纳米GAA架构，有机会与台积电一较高下，并夺回大客户订单。
