Qualcomm 中国今日宣布将于本月 20 日举行骁龙之夜活动，活动中将展示 Qualcomm 旗下的全新 SOC 产品和搭载全新 Qualcomm SOC 的合作品牌机型，不出意外的话届时我们能看到全新的 骁龙 8 Gen1 + 和 骁龙 7 Gen 1 SOC 的亮相。
根据已有的爆料资料来看，8 Gen1 + 对比因功耗和发热问题饱受争议的前代产品 8 Gen1，唯一的改变可能只有将制程工艺从三星 4nm 工艺更换到了良品率和集成密度更高的台积电 4nm 工艺。虽然在名字上看起来都是 4nm 制程，但台积电的 4nm 工艺可以将半导体管的集成密度提升到到 171.3MTr/mm² ，而三星的 4nm 工艺的集成密度仅为 145.8MTr/mm²，甚至不及集成密度为 171.3MTr/mm² 的台积电 5nm 工艺。
集成度更高的制造工艺意味着在芯片设计不变的情况下，能使用更低的功耗换取更高的性能。根据数码博主 @数码闲聊站 的爆料，8 Gen1 + 相对于前代产品，在性能提高 10% 的同时将功耗下降了接近 30%，能效比的提升近 30%。
如果爆料消息准确，那么这颗看起来更加冷静的 8 Gen1 + 或许不会再让 Android 厂家推出旗舰产品时绞尽脑汁的处理散热问题。
